其中R代表可分辨的最小尺寸也就是我们追求的精度,那么肯定就是R越小越好,k是工艺常数代表我们的工艺技术,λ.....λ...。
λ是什么来着?”
说到这里,李秀成像是卡了壳,挠着腮帮子说道。
周宏一脸好为人师的表情笑道:“λ是光刻机所用光源的波长,我们现在研究的就是G线光刻机,波长346NM。
NA代表物镜数值孔径这个东西也就是关键的暴光系统。
这也是最难的东西,我们现在造的都是落后别人十年的参数产品。
反正,光刻机制程工艺水平的发展是一直遵循你说这个公式的。
现在米国的最新型光刻机已经可以生产800NM制程的芯片,我们却还在1200nm徘徊,还差得远啰!”
说到最后,周宏反而一脸失落,也没了开始的兴致。
“哦,真复杂!”李秀成做出一脸我很懵的表情,然后话锋一转道:“但我大致抓到了两个重点,光源、物镜折射率!
想要提升芯片的生产效率和良率,是必须要同时发展光刻机的内部构造和工作模式。
那么我们可以从整体因素考虑,为什么不换一种光源,然后再换一种折射介质?”
“嗯?”周宏回过神来,有些奇怪的说道:“现在光线就G线和I线两种,波长在三百多到四百左右,确实比较大,而且国际上的公同认知是在193nm缩短到157nm制程时会出现瓶颈。
但折射介质是什么说法?”
见周宏来了兴趣,李秀成嘴角微勾然后迅速恢复原状。
这也就是现在的干式微影光刻机和浸没式光刻机的最大区别了!
他故意做出一脸不确定的说道:“光线我觉得可以多做试验,把什么XYZ射线啊,紫外线,极光都试试,总能找到最合适的。